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新型金屬封裝技術特點研究
時間:2011-06-15 15:28 作者:華星電器 點擊:
近年來出現的以金屬作為基板或整體外殼的四邊封裝技術,就是為了解決上述問題而發展起來的1種高導熱且具有優異.

  近年來出現的以金屬作為基板或整體外殼的四邊封裝技術,就是為了解決上述問題而發展起來的1種高導熱且具有優異 電性能的新型高密度封裝技術。這方面工作,美國和日本處于地位,我國目前也正在進 行研究。這種技術對于高密度大功率電子產品的是非常關鍵的,對于提高我國微電子封 裝水平也具有切實的意義。在我們的研究中,通稱這種金屬做基板或整個外殼的四邊封裝為金屬外殼封裝。下文介紹了這種金屬外殼封裝的性能特點,并用研制的陽極化鋁樣品作為基板,進行了初步設計分析。
     隨著當今微電子產品朝著高性能、超小型化、多功能的方向發展,器件功率增大,封裝體的散熱特性已成為選擇合適的封裝技術的一個重要因素。普遍用于各種集成電路封裝中的PQFP(塑料四邊扁平封裝)和Cequad(陶瓷四邊封裝)技術,在自然空氣中,若沒有外部散熱裝置,熱量散失大約為1~2W,而像高速大功率微處理器、ASIC及信號處理器,一般都要求2~10W的功率散失[1]。這樣,這些封裝技術的使用 就受到了限制。另外,它們在電性能方面也表現了高電感性,因此限定于應用到低頻、低轉 換速度器件上,通常在300Hz以下,難以滿足高速大功率器件的要求。為此需要一種更加可 靠、散熱的封裝技術。

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